Анализ конструкций полупроводниковых интегральных микросхем

Методические указания. – Самара: Изд-во Самар. гос. аэрокосм. ун-та, 2010. – 20 с.Приведены конструкции полупроводниковых биполярных и униполярных микросхем, их элементов, показаны методы изоляции, структура. Студентам предлагается определить метод изоляции элементов изучаемых микросхем, воспроизвести топологический чертеж общего вида, структуру кристалла, принципиальную электрическую схему, составить схему технологического процесса изготовления микросхемы, рас-считать степень интеграции и определить плотность упаковки элементов.
Рекомендуется студентам специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».Содержание
Занятие I
Теоретические основы. Общие сведения о полупроводниковых микро-схемах
Технология изготовления биполярных полупроводниковых микросхем
Методы изоляции элементов
Элементы биполярных микросхем
Типы биполярных транзисторов
Многоэмиттерный и многоколлекторный транзисторы
Диоды
Полупроводниковые резисторы и конденсаторы
Описание лабораторной установки
Порядок выполнения работы
Содержание отчета
Контрольные вопросы
Список литературы
Занятие II
Теоретические основы
Принцип работы униполярного транзистора
Технология получения
Разновидности униполярных транзисторов
Описание лабораторной установки
Порядок выполнения работы
Содержание отчета
Контрольные вопросы
Список литературы